电子科学与技术是以半导体物理、微电子器件、集成电路设计、光电子材料及电磁场理论为核心研究对象的一级学科，涵盖微纳电子器件与工艺、模拟/数字/射频集成电路设计、宽禁带半导体与功率电子、光电子与光通信器件、MEMS/NEMS与传感器、电磁兼容与微波技术等方向，支撑国家集成电路自主可控战略、第三代半导体产业布局、6G通信硬件基础、智能感知系统底层创新及全球芯片科技竞争格局重塑。浙江大学该学科隶属080900电子科学与技术 （学术学位），依托信息与电子工程学院 、微纳电子学院 、浙江省先进半导体材料重点实验室 、国家集成电路设计杭州产业化基地 、浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院 、杭州城西科创大走廊EDA工具链平台 等平台，设置微纳电子器件与先进工艺、模拟与混合信号IC设计、射频/毫米波/太赫兹电路、宽禁带半导体与功率器件、光电子与集成光子学、MEMS/NEMS与智能传感 六大主干方向，并拓展二维材料晶体管、存算一体架构、硅基光电子异质集成、GaN HEMT高频功率模块、AI辅助EDA算法、量子传感芯片等前沿交叉领域，致力于培养兼具扎实固体物理与电路功底、流片验证能力、强烈创新意识与家国情怀的高层次复合型电子科技人才。

学科沿革 ：浙大电子科学教育可追溯至1952年 院系调整时设立的无线电工程系半导体专门化。1958年 ，成立半导体物理教研室；1978年 ，恢复研究生招生并获批首批半导体物理与器件硕士点。1981年 ，获批微电子学与固体电子学硕士点。1998年 四校合并后，组建信息与电子工程学院。2003年 ，获批电子科学与技术一级学科博士点；2006年 ，牵头编制《浙江省集成电路设计企业认定规范》。2010年 ，入选国家"985工程"优势学科创新平台；同年，建成国内高校首个"8英寸MEMS中试线"。2017年 ，入选国家"双一流"建设支撑学科；同年，发布《长三角第三代半导体产业白皮书》。2020年 ，深度参与国家"集成电路科学与工程"一级学科建设；同年，牵头制定《车规级功率MOSFET可靠性测试规范》。2024年 ，启动"之江实验室-浙大先进半导体联合攻关计划"；同年，与长鑫存储、士兰微、华虹半导体共建"先进工艺与EDA联合实验室"。2025年 ，获批教育部"集成电路研究生联合培养基地"；同年，牵头编制《浙江省RISC-V芯片生态发展指南》。2026年 ，首届"中国电子科学青年学者西湖论坛"在杭州举办，标志着浙大该学科从单点器件研究迈向"材料-器件-电路-系统-EDA"全栈式自主创新。

导师队伍 ： 李尔平 求是特聘教授（电磁场与微波、超材料天线、RIS设计，国家杰青获得者，《IEEE Trans. on Antennas and Propagation》多篇通讯作者）； 张铭 教授（宽禁带半导体、GaN HEMT、功率器件可靠性，主持国家重点研发计划"车规级SiC MOSFET"首席科学家）； 王玮 副教授（硅基光电子、相干光调制器、异质集成，国家优青获得者）； 赵毅 研究员（CMOS图像传感器、低噪声读出电路、医疗成像芯片，工信部标准专家）； 史治国 教授（MEMS惯性传感器、边缘AI芯片、工业物联网SoC，浙江省万人计划领军人才）； 刘华锋 副研究员（二维材料晶体管、存算一体阵列、神经形态计算，Nature Electronics合作作者）。团队还聘请清华大学魏少军教授、复旦大学曾晓洋教授、美国IEEE Fellow、长鑫存储、士兰微、华虹半导体、之江实验室、国家集成电路大基金等机构专家担任兼职导师或产业导师，形成"学术研究-流片验证-标准制定-产业转化"全链条育人格局。

培养特色 ：实行"理论筑基+流片驱动+平台实操+产教融合"四位一体模式。核心课程覆盖半导体物理、固体电子学、模拟CMOS集成电路设计、科研方法论与伦理等；各方向另设实务课程（如Cadence/Synopsys EDA全流程、TCAD器件仿真、HFSS/CST电磁建模、探针台/网络分析仪测试、车规AEC-Q100认证解读、专利撰写与IP核复用）。学术型硕士须在导师指导下完成面向真实芯片问题的基础研究或流片验证，鼓励参与国家重大专项、企业联合流片项目、赴长鑫、士兰、华虹、海康等单位顶岗实习。学院建有8英寸MEMS中试线 、纳米加工洁净室 、射频/毫米波测试实验室 、光电芯片封装与测试平台 、EDA工具链实训中心 及科技伦理案例库 ，定期举办"求是电子讲堂"、流片复盘会、"企业导师开放日"。学生在IEEE EDL/JSSC/TED顶刊、ISSCC/IEDM/VLSI会议、全国研究生集成电路创新创业大赛中屡获佳绩，毕业生广泛就职于华为海思、长鑫存储、士兰微、高通、博通、ASML、国家实验室及海外顶尖芯片企业与研究机构。

保研要求 ：2026年招收080900电子科学与技术学术型硕士，按一级学科统一招生和培养，计划招生约45–55人（含推免与统考）。推免网申预计2025年9月上旬开放，需提交代表性科研成果/流片作品/竞赛成果/个人陈述、两封专家推荐信及实践能力证明（如英语六级≥460；有顶会/顶刊论文或集成电路类竞赛国奖者优先）。初试科目为301数学一 与853半导体物理 或854模拟电子技术基础 （二选一），复试科目为电子科学与技术综合应用分析 （无指定参考书目，含器件机理推导、电路设计验证、工艺容差与伦理安全评估）。本科背景以电子科学与技术、微电子科学与工程、集成电路设计与集成系统、光电信息科学等专业为主，欢迎物理学、材料科学、计算机科学等跨学科申请人。有高质量科研论文、全国研究生集成电路创新创业大赛/电子设计竞赛获奖、国家级大创项目、头部芯片企业长期实习、流片经历或EDA工具熟练使用者优先。复试含专业面试（器件特性分析、电路方案复现、创新潜力与伦理意识评估），重视解决复杂工程问题的能力、流片思维与社会责任感，建议提前12个月确定研究方向并联系意向导师。

辅导要点 ：①微纳电子器件与先进工艺：FinFET/GAA短沟道效应抑制、高k金属栅界面态调控、EUV光刻邻近效应修正、原子层沉积均匀性优化、二维材料转移良率提升；②模拟与混合信号IC设计：高精度ADC/DAC线性度校准、低噪声放大器带宽-功耗权衡、PLL锁定时间与相位噪声优化、电源管理芯片EMI抑制、生物电信号前端共模抑制比提升；③射频/毫米波/太赫兹电路：PA效率-线性度折衷设计、LNA噪声系数与稳定性协同、混频器转换增益与隔离度平衡、天线-on-chip辐射效率增强、6G频段信道建模与验证；④宽禁带半导体与功率器件：SiC MOSFET阈值电压漂移机理、GaN HEMT动态导通电阻退化、垂直结构散热设计、车规级高温可靠性测试、快充适配器拓扑优化；⑤光电子与集成光子学：硅基调制器带宽-损耗权衡、InP激光器与SiN波导耦合效率、光探测器暗电流抑制、量子点发光波长调谐、光互连链路预算与误码率预测；⑥MEMS/NEMS与智能传感：加速度计零偏稳定性提升、陀螺仪标度因数温漂补偿、压力传感器过载保护结构、气体传感器选择性增强、植入式生物电极长期稳定性；⑦前沿交叉：存算一体阵列能效比优化、AI辅助布局布线算法、RISC-V自定义指令扩展、碳中和芯片封装热设计、跨境芯片出口管制合规路径；⑧方法论：流片PDK使用规范、TCAD模型校准流程、车规认证文档编制、专利检索与FTO分析、开源IP核协作礼仪；⑨热点议题：浙江"芯火双创"平台落地痛点、长三角晶圆制造产能协同瓶颈、国产EDA工具链突围、青年学者如何平衡流片成本与学术探索、"双碳"目标下绿色芯片设计转型路径、AI大模型时代电子工程师角色重塑。

面试训练侧重典型电子问题即兴分析（如某ADC SNR恶化归因、某PA自激振荡排查、某MEMS传感器零偏偏移根因）、器件/电路方案逻辑论证（从物理机理到版图实现再到多维度性能权衡）、创新能力与安全伦理底线的协同。文书应体现对电子科学事业的真诚热爱、扎实的物理与电路交叉能力、避免空泛追捧概念或脱离流片实际，强调"在能带中求真，在版图中验证，在服务芯片自立自强与数字中国使命中践行电子担当"的职业态度。

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